CMP 工艺与材料表征系统：

化学机械抛光（CMP）是半导体器件制造和许多其它先进 技术采用的材料平坦化和平滑化工艺。研发人员不断研究 如何利用CMP开发新材料、新器件和提高器件集成度。
 
CMP工艺的研究具有挑战性，主要是由于抛光垫、抛光 液、修正方法、工艺配方设置和许多其它变量之间相互作 用的复杂性。另外，所有主要的反应都是瞬态的，无论在 单一测试周期内还是不同测试周期之间，这进一步加大了 CMP工艺研究的复杂性。
 
凭借上一代产品CP-4超过20年的CMP表征经验， TriboLab CMP 经过全新的设计，具有卓越的准确性和可 重复性，是市场上唯一的CMP工艺开发仪器，可以大范 围地测量抛光压力（0.05-50 PSI）、速度（1到500RP- M）、声发射、摩擦、和表面温度，全面准确地表征CMP 工艺和耗材。

专业的研发用小型ＣＭＰ系统

全面再现晶圆抛光工艺条件 提供无与伦比的测量重复性和细节 使用小晶片而不是整个晶圆作测试，节省大量成本
 
在线实时诊断，可以更好地了解抛光过程 更好地观测瞬时抛光特性。 收集整个测试过程的数据，从晶圆基底接触抛光垫开始 到测试结束 提供更完整、更详细的数据，帮助工艺开发早期做决定
 

灵活的样品类型、尺寸、和安装配置提供最广泛的 适用性

可抛光任何平面材料，使用任何修正盘，抛光液和抛光垫
可容纳小晶片到100mm  晶圆 接受多样品夹具